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Lifshitz quantum phase transitions and Fermi surface transformation with hole doping in high-$T_c$ superconductors

机译:Lifshitz量子相变和费米面转换   高掺$ T_c $超导体中的空穴掺杂

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摘要

We study the doping evolution of the electronic structure in the normal phaseof high-$T_c$ cuprates. Electronic structure and Fermi surface of cuprates withsingle CuO$_2$ layer in the unit cell like La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ have beencalculated by the LDA+GTB method in the regime of strong electron correlations(SEC) and compared to ARPES and quantum oscillations data. We have found twocritical concentrations, $x_{c1}$ and $x_{c2}$, where the Fermi surfacetopology changes. Following I.M. Lifshitz ideas of the quantum phasetransitions (QPT) of the 2.5-order we discuss the concentration dependence ofthe low temperature thermodynamics. The behavior of the electronic specificheat $\delta(C/T) \sim (x - x_c)^{1/2}$ is similar to the Loram and Cooperexperimental data in the vicinity of $x_{c1} \approx 0.15$.
机译:我们研究了高$ T_c $铜酸盐在正常阶段电子结构的掺杂演变。在强电子相关性条件下,通过LDA + GTB方法计算了像La $ _ {2-x} $ Sr $ _x $ CuO $ _4 $这样的晶胞中具有单层CuO $ _2 $层的铜的电子结构和费米表面。 (SEC)并与ARPES和量子振荡数据进行比较。我们发现了费米表面拓扑发生变化的两个临界浓度$ x_ {c1} $和$ x_ {c2} $。遵循I.M. Lifshitz关于2.5阶量子相变(QPT)的思想,我们讨论了低温热力学的浓度依赖性。电子比热的行为$ \ delta(C / T)\ sim(x-x_c)^ {1/2} $与$ x_ {c1} \约0.15 $附近的Loram和Cooperexperimental数据相似。

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